【ニュースの要約】
旭化成が新しい半導体「窒化アルミニウム（AlN）」の実用化に向けた取り組みを加速しており、名古屋大学と共同でAlN素子の基本構造を実現した。この構造で物性値を測定した結果、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を上回る特性を示した。AlNウエハーの事業化は2030年を目標としている。
【ニュースの背景】：「窒化アルミニウム（AlN）」の注目
AlNはバンドギャップが広く、一般的なシリコン（Si）よりも低損失なパワー素子を実現できると期待されている。既にSiCやGaNなどのパワー半導体が登場しており、AlNではさらに低損失な特性が期待されている。
【ニュースに関する知識】：「窒化アルミニウム（AlN）」の特徴
AlNはSiCやGaNに比べてバンドギャップが約6.0電子ボルト（eV）であり、1.8倍以上広い特性を持つ。このため、低損失なパワー素子の実現において重要な素材となる。
【ユース解説】：「旭化成のAlN素子の実現」
旭化成が名古屋大学と共同でAlN素子の基本構造を実現したことは、AlNを用いた低損失なパワー素子の開発に向けた重要な進展である。AlNウエハーの事業化を目指し、旭化成は2030年を目標に取り組んでいる。
【ユース感想】：「旭化成のAlN素子の実現について」
&Buzzとしては、旭化成のAlN素子の実現がパワー半導体の分野で重要な進展であると評価しています。低損失なパワー素子の需要は高まっており、AlN素子の実用化が加速することで、エネルギー効率の向上や省エネルギー化に寄与できる可能性があると考えられます。今後の研究成果に注目し、実用化に向けての取り組みを見守っていきたいと思います。
この &Buzzニュースは、Nikkei.comのニュースをAndbuzzが独自にまとめたもの。
